Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
short-channel FET — trumpakanalis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. short channel FET; short channel field effect transistor vok. Kurzkanalfeldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с коротким каналом, m pranc. transistor … Radioelektronikos terminų žodynas
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
transistor à effet de champ à court canal — trumpakanalis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. short channel FET; short channel field effect transistor vok. Kurzkanalfeldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с коротким каналом, m pranc. transistor … Radioelektronikos terminų žodynas
Channel length modulation — Cross section of a MOSFET operating in the saturation region One of several short channel effects in MOSFET scaling, channel length modulation (CLM) is a shortening of the length of the inverted channel region with increase in drain bias for… … Wikipedia
Double-gate transistor — A double gate transistor is a field effect transistor (FET) fabricated with gate structure, to control the conductivity of the transister, on both sides of the channel. In a field effect transistor, the gate controls flow of electricity through… … Wikipedia
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
Kurzkanalfeldeffekttransistor — trumpakanalis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. short channel FET; short channel field effect transistor vok. Kurzkanalfeldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с коротким каналом, m pranc. transistor … Radioelektronikos terminų žodynas
trumpakanalis lauko tranzistorius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. short channel FET; short channel field effect transistor vok. Kurzkanalfeldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с коротким каналом, m pranc. transistor à effet de champ à court canal, m … Radioelektronikos terminų žodynas
полевой транзистор с коротким каналом — trumpakanalis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. short channel FET; short channel field effect transistor vok. Kurzkanalfeldeffekttransistor, m rus. полевой транзистор с коротким каналом, m pranc. transistor … Radioelektronikos terminų žodynas
